Strain-engineered mosfets
Auteur :
Maiti, C.K. / Maiti, T.K.
Éditeur :
Taylor & Francis Inc
ISBN :
9781466500556
Date de publication :
28 nov. 2012
Dimensions :
23,4 x 15,6 cm
Poids :
598 g
Langue :
Anglais
Pays d'origine :
USA
This book brings together new developments in the area of strain-engineered MOSFETs using high-mobility substrates such as SIGe, strained-Si, germanium-on-insulator, and III-V semiconductors.