High power insulated-gate bipolar transistor (igbt) drivers: design and applications

Auteur : Zhiyuan, He / Jinkun, Ke
Éditeur : Elsevier - Health Sciences Division
ISBN : 9780443526558
Date de publication : 1 nov. 2026
Dimensions : 22,9 x 15,2 cm
Poids : 450 g
Langue : Anglais
Pays d'origine : USA

253,99 €
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À paraître

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