Research on the radiation effects and compact model of sige hbt
Auteur :
Sun, Yabin
Éditeur :
Springer Verlag, Singapore
ISBN :
9789811351815
Date de publication :
4 janv. 2019
Dimensions :
23,5 x 15,5 cm
Langue :
Anglais
Pays d'origine :
Singapour
This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs).